中微公司:刻蚀设备及MOCVD设备产品线介绍
来源:火狐体育app网站    发布时间:2024-03-25 04:46:19| 阅读次数:518

  技术水平:中微公司的等离子体刻蚀设备已使用在世界一线纳米及其他先进的集成电路加工制作出产线及先进封装出产线。MOCVD设备大规模投入量产,在全球氮化镓基LED设备市占率80%。曩昔20年中微开发了15种等离子体刻蚀设备。

  产品结构(2023年):刻蚀设备收入47亿元;MOCVD收入4.6亿元;备品备件收入9.7亿元;别的的收入1.3亿元。

  晶圆制作设备能分为刻蚀、薄膜堆积、光刻、检测、离子掺杂等品类,其间刻蚀设备、薄膜堆积、光刻设备是集成电路前道出产的根本工艺中最重要的三类设备。依据Gartner历年计算,全球刻蚀设备、薄膜堆积设备别离占晶圆制作设备价值量约22%和23%。

  等离子体刻蚀设备是除光刻机以外最要害的微观加工设备,是制程进程最多、工艺进程开发难度最高的设备。微观器材的不断缩小推动了器材结构和加工制程的革命性改变。

  存储器材内部架构从2D到3D的转化,使等离子体刻蚀和薄膜制程成为最要害的进程,对这两类设备的需求量大幅度提高。光刻机因为波长的约束,先进的微观结构要靠等离子体刻蚀和薄膜的组合“二重模板”和“四重模板”工艺技术来加工,刻蚀机和薄膜设备的重要性不断提高。

  中微的刻蚀产品已对28纳米以上的绝大部分CCP刻蚀使用和28纳米及以下的大部分CCP刻蚀使用构成较为全面的掩盖。针对28纳米及以下的逻辑器材出产中广泛选用的一体化大马士革刻蚀工艺,可调节电极距离的CCP刻蚀机Primo SD-RIE已进入国内抢先的逻辑芯片制作客户展开现场验证。

  中微也与其他多家逻辑芯片制作客户到达现场评价意向。Primo SD-RIE具有实时可调电极距离功用,有效地应对一体化大马士革刻蚀工艺中要求的在同一刻蚀工艺中到达最优的沟槽和通孔刻蚀均匀性的问题,极大拓展一体化刻蚀工艺的工艺窗口。

  :Inductive Coupled Plasma,电理性耦合的等离子体源,使用于集成电路制作中单晶硅、多晶硅以及多种介质等资料的刻蚀。ICP设备有6个单台反响器和3个双台反响器体系,Nanova单台机订单年增加超越100%,敏捷扩展商场占有率,双台机也已进入出产线+反响台在线年中微公司的ICP刻蚀设备在包含逻辑、DRAM、3DNAND、功率和电源办理、以及微电机体系等芯片和器材的50多个客户的出产线上量产。ICP刻蚀设备中的Primo Nanova系列新产品在客户端装置腔体数近三年完成100%的年均复合增加。

  Nanova VEHP在DRAM 的深邃宽比的多晶硅掩膜使用上,在客户的产线上认证成功,已获得批量重复订单。NanovaLUX也已付运至多个客户的产线上开端认证。PrimoTwin-Star则在海内外客户的逻辑芯片、功率器材、微型发光二极管MicrO-LED、AR和VR智能眼镜用的超透镜(Metalens)等特征器材的产线上完成量产,并获得重复订单。

  MOCVD设备:使用于蓝绿光及紫外LED外延片和功率器材的出产。MOCVD设备有4个独立操作的反响器体系,开发了用于照明和先进显现的UniMax等三代设备,以及用于深紫外芯片出产设备,在国内外氮化镓基LED商场占主导地位。

  2023年中微用于蓝光照明的PRISMO A7、用于深紫外LED的PRISMO HiT3、用于Mini-LED显现的PRISMO UniMax等产品继续服务客户。截止2023年,中微坚持世界氮化镓基MOCVD设备商场领头羊。其间PRISMOUniMax产品自2021年6月正式对外发布以来,具有高产量、高波长均匀性、高良率等长处,在 Mini-LED显现外延片出产设备范畴处于世界抢先。

  LPCVD设备:Low Pressure Chemical Vapor Deposition,低压化学气相堆积,使用于先进逻辑器材、DRAM 和 3D NAND中触摸孔以及金属钨线的填充。

  ALD设备:Atomic layer deposition,原子层堆积,是一种能够将物质以单原子膜方式一层一层的镀在基底外表的办法。

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